本產品僅限使用於特定QNAP NAS機種，購買前請先查明是否支援，請勿用於個人電腦或其他裝置，若因而造成設備或資料毀損，本公司不負賠償責任。 4266MHz這個頻率的顆粒出現，小編還未收到相關訊息，能確定的是，這是一件值得讓人高興和期待的事，初始的標準型產品即已超越基礎定義，那麼超頻的部分相信能有更不一樣的發揮空間，值得我們去挖掘。 DDR4 模組乍看之下別無二致，但是仍存在一些細微的差異。 DDR4 RAM 無法向下相容於 DDR3 主機板，而反之亦然。 因此為了避免意外插入錯誤類型的記憶體，凹口的位置已經做了調整。
DDR5 將記憶體模組分成兩個獨立的 32 位元可定址子通道，以提高效率並降低記憶體控制器的資料存取延遲。 DDR5 模組的資料頻寬仍為 64 位元，但將其分成兩個 32 位元可定址子通道，以提高整體效能。 針對伺服器級記憶體 ，每個子通道增加 8 位元以支援修正錯誤記憶體 ，故每個子通道共 40 位元，或每 RANK 80 位元。
創見ESD380C行動固態硬碟搭載USB 3.2 Gen 2×2傳輸介面，創造史無前例的傳輸速度。 輕巧的外觀可儲存高達2TB的資料，無疑是行動儲存的最佳選擇。 答：單通道是64bit，如果是雙通道或多通道可以提供128~256bit的頻寬，理論上約有2~4倍的效能提升，請注意這只是理論上，以目前DDR4記憶體來說，文書用途有沒有雙通道真的沒差別，遊戲或繪圖用途建議雙通道會比較好。 ddr3記憶體 這也就是為何一般文書機用4GB記憶體也能用，但繪圖遊戲機最少要8G以上，因為執行繪圖、遊戲程式時CPU需要「暫存資料」的空間更大，如果空間不夠用，那就尷尬了，你的CPU明明用的很頂級，但電腦卻跑的卡卡的。
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隨著科技的日新月異、及製程與良率的提昇，記憶體效能有著讓人眼睛為之一亮的成長。 購買前請以購買當時銷售頁面資料為準自行判斷，該等資訊亦不得作為向第三人為任何主張之依據，包括但不限於：主張市場上有其他更優惠價格之補償或其他請求。 前面知道記憶體規格代表的意義之後大概可以了解，時序數字越小『緊』效能越好、時脈數字越高效能越好，所以記憶體超頻最理想的狀態就是時序調緊、時脈拉高。 這是我自己的G.SKILL記憶體的SPD資訊，可以很清楚看到顆粒封裝型號為PC ，因為這條記憶體是雙面顆粒所以就要把時脈X2也就是1600，所以我這條記憶體為SPD1600顆粒OC上2133販賣，記憶體型號就是F CL11-4GBXL。 其實簡單來說時序就是代表每執行一次資料存取動作之後要多久的時間才會做下一次的存取而時脈就是開始做存取動作時傳輸資料的速度有多快，所以兩者是相輔相成。 最前面的tCAS就是CL值，因為CPU跟記憶體要資料在同列時都是看這個時序，這個數字越小則代表記憶體與CPU溝通的週期越快。
在記憶體走入DDR3世代後，連帶也使得DDR3超頻記憶體日受重視。 不僅如此，隨著顆粒製程的進步，以及X58、P55等平台的加持，DDR3記憶體的超頻幅度，比起問世初期更是一日千里。 答：筆電用的記憶跟跟桌機不一樣，不能通用，而且筆電的記憶體安裝因為要拆筆電，所以難度比較高，建議加裝要送回原廠處理。 ddr3記憶體 如果你是一般使用者，建議不要去超頻，你為了超頻還要特地買可超頻的記憶體，就算真的讓你超上去了，你也感覺不出來有沒有比較快，但你又會擔心超頻影響壽命的問題。 記憶體的延遲時間是指記憶體讀寫資料的反應時間，例如CL8是指記憶體讀取資料的延遲時間為8個時脈週期。
雖說四個位元已經超過了十進位中0到9，總計十種字元的需求，但科學家卻也因此順水推舟，發展出一套十六進位的系統，將每個位元善加利用。 如果我們把位元想像成電燈，那麼一個電燈的開與關，可用（0，1）作為描述符號；但如果要讓以無數電路組成的電腦，模擬出人類慣用的十進位數字規則（0 ~ 9），單只有一個位元是不夠的，至少必需要四個位元才足夠涵括。 無論是個人電腦，或是今日最夯最潮的手持式智慧行動裝置，記憶體都是不可或缺的一項重要元件。
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(上網、打字、看影片)，記憶體4G也能用，但一般來說建議直接一條8G，一勞永逸，也就是說目前記憶體最少就是裝8G以上。 簡單來說，電腦硬體是電腦系統用以發揮功能所需的實體元件。 記憶體模組透過與 CPU 同步而得知確切的時脈週期，且 CPU 並不會在記憶體存取的間隔時間加以等候。 記憶體標準由 JEDEC（聯合電子裝置工程委員會）控制，其為獨立半導體工程與貿易組織，以及標準化機構。
- 簡單來說，SRAM和DRAM一樣，都是由電晶體組成，通路代表1，斷路代表0，但是SRAM 對稱式的電路結構設計，使得每個記憶單元內所儲存的數值，都能夠以比 DRAM 還要快的速率被讀取。
- 同步動態隨機存取記憶體 是為了因應其他電腦元件速度提升所研發。
- DDR3 的傳輸速率介於 800MT/s 和 1600MT/s 之間。
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- 1.1V，訊號容限變的非常小，因此記憶體必須有非常良好的辨識訊號的能力，而將電源管理直接移至記憶體上就是一個極佳的解決辦法。
- 由於電腦硬體皆相互連結並相關，故也同時能帶動其他元件的速度提升。
- 前文提到，NAND 型快閃記憶體在讀取或寫入資料時，不會直接針對某個記憶體單元動作，而是會讀取一整排的單元、然後選出需要的資訊。
類似功能，其實在先前對應Chrome瀏覽器的外掛程式都有類似設計，而微軟也曾在以Chromium架構打造的Microsoft Edge加入不常用分頁休眠設計，標榜讓休眠後的分頁佔用記憶體比例減少高達83%。 若因您要求退貨或因QNAP網路商城無法接受您全部或部分之訂單、或契約因故解除或失其效力，而需為您辦理退款事宜時，QNAP網路商城得代您處理發票或折讓單等相關法令所要求之單據。 組合商品退貨時，僅能一次將組合內所有商品全數退貨，不可對組合內某單一商品進行退貨。 如未進行完整退貨，則本公司將待優惠組合內其餘商品寄回本公司後，始能辦理退款程序。
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換句話說，少數DDR3記憶體模組採用較高的PCB設計，這也以用來判斷它是否為超頻記憶體。 DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM）：為雙通道同步動態隨機存取記憶體，是新一代的SDRAM技術。 別於SDR（Single Data Rate）單一周期內只能讀寫1次，DDR的雙倍數據傳輸率指的就是單一周期內可讀取或寫入2次。 在核心時脈不變的情況下，傳輸效率為SDR SDRAM的2倍。
DDR3 SDRAM在記憶體模組上，針對桌上型電腦開發出240pin DIMM模組、在筆記型電腦則是204pin SO-DIMM，更高的運作時脈還有DDR3-1800、DDR3-2000、DDR3-2133和DDR3-2200四種。 尋址時序（Timing），就像DDR2從DDR轉變而來後延遲週期數增加一樣，DDR3的CL週期也將比DDR2有所提升。 DDR2的CL範圍一般在2至6之間，而DDR3則在6至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。 DDR2時AL的範圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。
TSV以雷射或蝕刻為手段，在矽晶圓打出一個小洞，然後以導電材質穿過這個小洞後將多個矽晶圓串接起來，此後不同矽晶圓之間的訊號便得以傳輸。 3DS製程最早由美光（Micron Technology）所提出，這是一種堆疊封裝技術，而實作手法又有兩種，一種是單顆晶片在封裝完成後，在PCB上堆疊；另一種則是在晶片封裝之前，在晶片內部進行堆疊。 在絕大多數的情況下，只要能夠解決散熱問題，內部堆疊封裝可以一舉大幅降低晶片面積，最大的好處就是對於製成品的小型化有相當大的幫助。
那麼，為何人類在日常生活中，大多時候都使用十進位，為什麼電腦卻要設計成二進位呢？ 這是由於0與1兩種資料訊號，剛好可以對應物理材料的「開」與「關」，使得實體世界與作業系統的運算空間，有了一道銜接的橋樑。 如果無法穩跑1920那就在顆粒時脈、除頻比之間調整讓記憶體速度可以跑跟1600差不多或者更高且能穩定使用的參數。 AMD的AM3、AM3+平台則是倍頻、外頻皆可更動，所以記憶體時脈的選擇性比INTEL的1155腳位平台更多，但是礙於拉外頻的話HT時脈也會跟著變動，如果HT時脈高於預設值可能會發生系統不穩定的情況，這時我們就得做『除頻』的動作。
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SDRAM 於 1988 年為了因應其他電腦元件速度的提升而研發。 同步記憶體將記憶體模組的回應與系統匯流排以及 CPU 的時間進行同步。 第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體（Double-Data-Rate ddr3記憶體 Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，一般稱為DDR3 SDRAM），是一種電腦記憶體規格。
答：DDR5 記憶體 標記著其架構上的革命性跳躍實現了更好的通道效率、提升了功耗管理、最佳化的效能，以因應次世代多核心運算系統。 DDR5 推出的速度能提供近乎於 DDR4 兩倍的頻寬。 它還能在不降低更高速的通道效率的情況下擴充記憶體效能，且這不僅體現在測試中，更體現在真實使用情況中。 Crucial DDR5 記憶體推出時的運作速度即可達 4800MT/s，為目前 DDR4 標準最高速度的 1.5 倍。 除了效能達到最佳化、運算成本低且更環保，DDR4也增強了信號完整性，並支援所有的 RAS 功能；同時也藉由提供循環冗餘核對 功能改善資料傳輸的可靠性、其晶片上的同位偵測功能，更提升了系統運行中「命令與位址」傳輸作業的完整性。
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這樣你就可以知道目前記憶體的容體，已經用了幾%，也能知道目前插了幾條(插槽)，最多能插幾條，也能看到記憶體的速度。 如果是要做記憶體超頻，建議要有散熱片比較保險，否則有沒有散熱片沒差，大部份的記憶體都是沒有散熱片的，我通常是用沒有散熱片的版本。 補充：2022年在選購第12代的主機板時要注意，主機板有DDR4或DDR5兩種版本，你買的時候要注意，因為DDR4或DDR5是不能混插的。
針對伺服器級模組，PMIC 使用 12V 工作電壓；針對 PC 級模組，PMIC 則使用 5V 工作電壓。 此設計可達到比前幾代更佳的功率分配，可提升訊號完整性，並降低噪音。 DDR5 即第五代 DDR(雙倍資料速率)同步動態隨機存取記憶體，又名 DDR5 SDRAM。 DDR5 於 2017 年由業界標準機構 JEDEC (前身為聯合電子裝置工程委員會) 所制定，並在包括 Kingston在內的記憶體、半導體和晶片組領導品牌投入下，共同為未來十年的電腦領域設計出具備更高效能、更低功耗及更強大資料完整性的全新規格。 這種記憶體的原理，是運用一種特殊合金為開發基礎，其擁有結晶與不定形的兩種形態，這種合金在結晶時電阻低，導電性極佳；但在不定形狀態下電阻就變得很高。
一般DDR3的延遲時間為5~11，DDR4為16，DDR5為40，這個數字對記憶體效能影響不大，在選購時都是忽略不計。 答：理論上是的，你買到2666就好，但因為目前2666反而比較少，大都是3200，價格也差不多，所以你就買3200的吧，都相容。 例如DDR4-3200，這只是表示記憶體可以穩定在3200MHz的時脈下使用，但你可能還需要BIOS中設定，否則記憶體可能會被當成2133或2400在跑。 答：這種2條裝的雙通道記憶體跟使用者自己插2支跑雙通道，就速度上來說是一樣的，除非你有記憶體超頻需求，否則建議是買單條裝的就好，如果是2條裝的雙通道的記憶體，萬一以後其中一條故障必需2條一起送修，麻煩。 DDR4 傳輸速率不斷提升，DDR4 模組在超頻時可達到 5100MT/s 甚至更快的速度。 Crucial Ballistix ddr3記憶體 MAX 模組在 2020 年打破多項超頻世界紀錄。
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DDR 記憶體在時脈信號的上升與下降期皆會向處理器傳輸資料。 ddr3記憶體 隨著 DDR3 已無法滿足全球目前對效能與頻寬的需求，新一代的 DDR SDRAM 已經隆重登場…DDR4 可提升效能、增加 DIMM 儲存容量、改良資料完整性，以及降低耗電量。 由於網際網路資料的傳輸不能保證百分之百的安全，儘管本站努力保護網友的個人資料安全，在部分情況下會使用通行標準的SSL保全系統，保障資料傳送的安全性。
在重置期間，DDR3記憶體將關閉內在的大部分功能，所有數據接收與發送器都將關閉、所有內部的程式裝置將復位，DLL（延遲鎖相環路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數據匯流排上的任何動靜。 邏輯Bank數量，DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。 而DDR3將從2GB容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好準備。 依照多年的經驗做檢測後發現是電池不能充電造成電池沒電所以不能開機。 聯合新聞網 (udn.com)數位頻道記者，同時身兼自由寫手與Mashdigi網站 (mashdigi.com)創辦者身分，平常喜歡電玩、科技類新品，以及軟體、網路相關內容，也喜歡隨手撰寫內容介紹新玩意。
除此之外，記憶體技術各領域的應用，諸如：數位相機、隨身碟、手機等，皆對人類文明的發展，有著更上一層樓的突破。 因此，筆者這次便淺談記憶體的發展史及其相關運用，希望大家能夠有一個基本而簡單的瞭解。 回到前面的問題，那同樣在DDR3 1600的前提下，CL7與CL10的分別帶入以下公式後，即算出總延遲時間為8.75ns與12.5ns。 也就是說，DDR CL7的效能超出DDR CL10達40%左右。 創見亦推出具備寬溫特性的microSDXC 460I記憶卡，可於-40℃到85℃下穩定運作，以確保工業機台於任務密集型應用中實現卓越的運作效能。 創見DrivePro 550行車記錄器採用一機雙鏡頭設計，打造內外兼顧的行車安全防護。
Fast Page DRAM，簡稱之為FP RAM，是被廣泛運用的一種改良型DRAM，主流區分為30pin與72pin兩種規格，工作電壓為5V，主流容量僅有1MB和2MB兩種可供消費者選擇。 30pin FP RAM頻寬為8bit，常見於XT/AT 286、386和486電腦當中，一次至少需要安裝四條；72Pin FP RAM頻寬為32bit，需成對使用，常見於486電腦中，少數初期Pentium電腦也看得到72pin FP RAM的蹤跡，但並不常見。 FPRAM在當讀取同一列資料時，可連續傳送行位址，不需再送列位址，即可讀出多筆資料，雖然在當時頗為先進，但在現在看來是非常沒有效率的工作方式。 而FPRAM最大的問題在於時脈頻頸為66 MHz，跟不上中央處理器的工作速度，因此，隨著處理器的進化，FP RAM也隨著成為昨日黃花，消逝在歷史的洪流裡。 DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的頻寬，DDR4的傳輸速率目前可達2133～3200 MT/s。 DDR4 新增了4 個Bank Group 資料組的設計，各個Bank Group具備獨立啟動操作讀、寫等動作特性，Bank Group 資料組可套用多工的觀念來想像，亦可解釋為DDR4 在同一時脈工作周期內，至多可以處理4 筆資料，效率明顯好過於DDR3。
TRP是RAS Precharge Time（行位址預充電時間）的縮寫，也就是記憶體從結束一個行存取到重新開始的間隔時間。 簡單地說，在依次經過tRAS，然後RAS、tRCD和CAS之後，需要結束當前的狀態再重新開始新的循環，這也是記憶體運作的基本原理。 如果系統擔負的工作需要大量的資料變化，比方像3D遊戲，此時一個程序就需要使用許多的行來存取，tRP的參數值越低，表示在不同行位址間切換的速度越快。 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）：為同步動態隨機存取記憶體，字首的Synchronous告訴了大家這種記憶體的特性，也就是同步。 1996年底，SDRAM開始在系統中出現，不同於早期的技術，SDRAM是為了與中央處理器的計時同步化所設計，這使得記憶體控制器能夠掌握準備所要求的資料所需的準確時鐘週期，因此中央處理器從此不需要延後下一次的資料存取。
圖 / 這是一對512MB PC133 SD RAM，剛推出時售價約兩萬元台幣，反觀今日記憶體價格，DIY玩家們實在是太幸福了。 圖 / 由上至下，這四種記憶體都曾是主流，現在已經是昨日黃花。 其實每一種記憶體都有其可歌可泣的歷史，但礙於胖達確實是一個懶人，因此無法在這篇文章裡完整交待完畢，只能概述而過。 王安電腦於今日已成為歷史的一頁，但在電腦產業萌芽初期，王安電腦研發出磁圈記憶體（Magnetic Core Memory）作為記憶體元件，這項劃時代發明徹底終結了電腦的真空管時代，進一步將電腦往半導體時代推進。
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答：大部份的3D遊戲單開的話8G就夠了，加到16G並不會比較快，不過如果預算OK建議直接加到16G，一勞永逸。 答：一般用途16G我覺得也夠了，如果3D繪圖需求真的很吃記憶體，特別是您的圖很大又同時開很多圖時，那麼肯定是裝到32G以上會更好。 目前市場上有4G、8G、16G、32G 四種容量為主，無論是文書、遊戲或繪圖用途，建議最少裝到8G。
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QNAP 提供產品完整的保固服務，確保我們的用戶享有優質的維修服務與安心的保障，請參考 QNAP 保固服務條款。 1.1V即可，這邊我們暫不討論關於超頻時所需電壓，畢竟不同的超頻頻率所需的電壓會有所調整，那是另外一門學問。 DDR4 能達到每針腳 2Gbps 以上的速率，且耗電量低於 DDR3L (省電型 DDR3)；DDR4能降低整體運算環境的電壓，讓效能及頻寬能力增加多達 50%。 因此不僅比先前的記憶體技術還要出色許多，而且能節省電力多達約 40%。 隱私權暨資訊安全保護政策諮詢如果您對於我們的資料隱私政策或是有個人資料收集、運用、更新等問題，歡迎您與我們聯絡。
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