FPGA开发板为什么要使用SDRAM ssdram SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线 同步。 在读写操作期间，CKE变低后的下一个节拍冻结输出状态和突发地址，直到CKE变高为止。 在所有的体都处于空闲状态时，CKE变低后的下一个节拍SDRAM进入低功耗模式并一直保持到CKE变高为止。
- 常常聽說台灣有兩兆雙星的「慘業」，一個 DRAM、一個面板。
- SDRAM所有输入信号的逻辑状态都需要通过CLK的上升沿采样确定。
- 一個典型的512Mbit SDRAM晶片内部包含了4個獨立的16Mbyte大小的库。
- 所有的操作命令通过控制线CS#、RAS#、CAS#、WE#和地址线、体选地址BA输入。
- 創見M.2 2280固態硬碟MTE720T以112層3D NAND快閃記憶體打造，搭載高速PCIe Gen 4 x4介面，符合最新NVMe 1.4規範，內建8通道控制器，帶來前所未有的傳輸效能。
行激活命令选择处于空闲状态存储体的任意一个行，使之进入准备读/写状态。 从体激活到允许输入读/写命令的间隔时钟节拍数取决于内部特征延时和时钟频率。 HY57V561620内部有4个体，为了减少器件门数，4个体之间的部分电路是公用的，因此它们不能同时被激活，而且从一个体的激活过渡到另一个体的激活也必须保证有一定的时间间隔。
ssdram: 資料傳輸
前鏡頭搭配高感光元件及超大視野，以每秒60張的解析度，清楚實錄Full HD 1080p高畫質影片；車內鏡頭則是180度可旋轉式設計，搭配四個紅外線LED燈，在夜間或是低光源下依舊可以清楚錄下車內影像。 然而 SRAM 中要儲存一個 bit 就得用到六個電晶體。 電晶體的數量一多、就會造成晶片的面積變大，從而帶來積體電路難以變得更小、還有價格更貴的問題。
由于动态存储器存储单元存在漏电现象，为了保持每个存储单元数据的正确性，HY57V561620必须保证在64ms内对所有的存储单元刷新一遍。 一个自动刷新周期只能刷新存储单元的一个行，每次刷新操作后内部刷新地址计数器自动加“1”。 ssdram 只有在所有体都空闲（因为4个体的对应行同时刷新）并且未处于低功耗模式时才能启动自动刷新操作，刷新操作执行期间只能输入空操作，刷新操作执行完毕后所有体都进入空闲状态。 该器件可以每间隔7.8μs执行一次自动刷新命令，也可以在64ms内的某个时间段对所有单元集中刷新一遍。
ssdram: 揮發性記憶體（DRAM / SRAM）構造剖析
考量到價格高和功耗大，目前只能在一些很嚴苛的地方來使用 SRAM，比如上面提到的快取（Cache）。 「寫入記憶體」的動作，就是由外部的資料線、對電容進行充電或放電，從而完成寫入 1 或 0 的數位資料。 由於電容會有漏電的現象，導致電位差不足而使記憶消失，因此除非電容經常周期性地充電，否則無法確保資料能長久保存起來。 事實上，我們上面講的小當家炒菜和桌面所講到的記憶體，都是用 RAM。
CPU 會給這個儲存陣列「行地址」和「列地址」，就可以選出一個「儲存單元」。 升級系統記憶體是提升電腦整體效能最簡單，且經濟實惠的方式之一。 按照我們詳細的逐步指示，安裝超簡單，不需要任何電腦技巧！
管线意味着芯片可以在处理完之前的指令前，接受一个新的指令。 在一个写入的管线中，写入命令在另一个指令执行完之后可以立刻执行，而不需要等待数据写入存储队列的时间。 在一个读取的流水线中，需要的数据在读取指令发出之后固定数量的时钟频率后到达，而这个等待的过程可以发出其它附加指令。 这种延迟被称为等待时间，在为计算机购买内存时是一个很重要的参数。 Nand Flash是IO裝置，資料、地址、控制線都是共用的，需要軟體區控制讀取時序，所以不能像Nor Flash、記憶體一樣隨機訪問，不能EIP（片上執行），因此不能直接作為boot。
但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。 一般小容量的用NOR Flash，因為其讀取速度快，多用來儲存作業系統等重要資訊，而大容量的用NANDFLASH，最常見的NAND FLASH應用是嵌入式系統採用的DOC（Disk On Chip）和我們通常用的”閃盤”，可以線上擦除。 三個月以後（即2011年4月），海力士宣布運作於2400MT/s資料速率的2GB DDR4記憶體模組面世，運作電壓同樣在1.2V，也採用30至39奈米的製程（未具體指明），另外他們還預期在2012年下半年開始大批次生產。 DDR4的半導體製程預期計劃是需要30奈米或更小長度的製程，預期將在2012年至2014年之間完成這個轉變。
这使得SDRAM与没有同步接口的异步DRAM相比，可以有一个更复杂的操作模式。 目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。 NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在NOR FLASH裡面的程式碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。
ssdram: 記憶體和硬碟差在哪？
由於有許多作業皆仰賴記憶體，故 RAM 的數量在系統效能速度中扮演至關重要的角色。 自刷新是动态存储器的另一种刷新方式，通常用于在低功耗模式下保持SDRAM的数据。 在自刷新方式下，SDRAM禁止所有的内部时钟和输入缓冲（CKE除外）。 一旦进入自刷新方式只有通过CKE变低才能激活，其他的任何输入都将不起作用。 给出退出自刷新方式命令后必须保持一定节拍的空操作输入，以保证器件完成从自刷新方式的退出。
這樣一來用低成本就能製造出大儲存容量的 DRAM 晶片。 缺點就是讀寫的速度慢（電容要充電、放電），影響了 DRAM 的性能。 另一个极限是CAS等待时间，是指提供一个地址与接受到相关数据之间的间隔。 这个也保持了相对稳定，最近几代DDR SDRAM的这个数据为10-15纳秒。 在操作上,對DRAM控制器來說CAS latency是一個已知的clock cycles特定數字, 這數字會被登錄在SDRAM模式註冊表中.在时钟速率很快的情况下，CAS等待时间相对的时钟周期数自然就会增加。
ssdram: 我們可以如何幫您?
另有288 PIN的R-DIMM模組，供伺服器主機板使用，除PIN數量、更精確更精確的電氣效能要求（但和U-DIMM一樣是1.2V工作電壓）、支援ECC以外，和U-DIMM相近，但和U-DIMM不能互用。 DDR4相較於前代的DDR3的優勢，主要是更高的模組密度（容量單位體積容量更大）、操作電壓更低（功耗降低）以及頻寬增加三方面。 2015年8月上旬，英特爾發布Skylake微架構的CPU，Core i7-6700K和Core i5-6600K以及Z170晶片組，支援DDR4。 其後除了Core m系列不支援DDR4之外，Core i全系列型號均全數支援，不過這些處理器同時也支援DDR3L記憶體（低電壓版DDR3記憶體），只是DDR3L和DDR4不能同時使用，只能二者擇其一。
所以 Lynn 的電腦硬碟是 128 GB、RAM 只有 4 GB（多開幾個 Chrome 分頁就會爆炸的真相…）。 還記得我們說過為什麼要在 CPU 裡面設暫存器的原因嗎？ 因為 CPU 要運算時，從暫存器中抓資料、會比跑到記憶體抓資料更快。 它占用2-bit的库地址（BA0–BA1）和13-bit的行地址（A0–A12），然後將那一行讀取入有着16,384個讀取放大器的库的队列。
自动预充电技术就是其中之一，它自动的在每次行操作之后进行预充电，从而减少了日后对同一L-Bank不同行寻址时发生冲突的可能性。 但是，如果要在当前行工作完成后马上打开同一L-Bank的另一行工作时，仍然存在tRP的延迟。 同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。 通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。 而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。 时钟被用来驱动一个有限状态机，对进入的指令进行管线操作。
内部状态包括模式寄存器设置状态、激活状态、预充状态、写状态、读状态、预充读状态、预充写状态、自动刷新状态及自我刷新状态。 当然还包括bank[…]地址信号，这个需要根据不同的型号来确定，同样为输入信号；地址信号A[…]，为输入信号；数据信号DQ[…]，为输入/输出双向信号；数据掩码信号DQM，为输入输出双向信号，方向与数据流方向一致，高电平有效。 要寻址的行所在的L-Bank中已经有一个行处于活动状态（未关闭），这种现象就被称作寻址冲突，此时就必须要进行预充电来关闭工作行，再对新行发送行有效命令。 结果，总耗时就是tRP+tRCD+CL，这种情况我们称之为页错失（PM，Page Miss）。
典型的時脈為66、100和133MHz(周期分别为15、10和7.5奈秒)時脈到150MHz的則可用於性能的發燒友。 晶片有多種不同的数据匯流排寬度（最常見的是4、8或16bits），但是晶片一般被做成168-pin的DIMM模组，可以同時讀寫64bits(非ECC)或72bits。 数据匯流排的存取機制很複雜，需要一个複雜的DRAM控制器。 這是因為寫入DRAM的数据必需和一個寫入指令在同一個時脈中，而讀取数据可以在讀取指令後的2到3個時脈進行。 显然，这与预充电管理策略有着直接的关系，目前有两种方法来尽量提高PHR。
NAND則是高資料儲存密度的理想解決方案，NOR一般只用來儲存少量的程式碼；NOR主要應用在程式碼儲存介質中。 NOR的特點是應用簡單、無需專門的介面電路、傳輸效率高，它是屬於晶片內執行，這樣應用程式可以直接在（NOR型）flash快閃記憶體內執行，不必再把程式碼讀到系統RAM中。 在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。
第一个数据在经过指定的CAS延时节拍后呈现在数据线上，以后每个时钟节拍都会读出一个新的数据。 ssdram 突发读操作可以被同体或不同体的新的突发读/写命令或同一体的预充电命令及突发停止命令中止。 CKE信号的用途有两个：一、关闭时钟以进入省电模式；二、进入自刷新状态。 CKE无效时，SDRAM内部所有与输入相关的功能模块停止工作。
創見工業級隨身碟JetFlash 280T採用96層3D快閃記憶體與高速USB 3.1 Gen 1傳輸介面，輕巧的尺寸與高相容性適合行動儲存相關應用，優異的效能與耐用度滿足醫療、軍事、工業自動化等應用的嚴苛需求。 JetFlash 280T可與創見UFD Security Toolbox加密軟體搭配使用，執行密碼加密設定，亦可透過簡訊將一次性密碼傳至特定手機門號，進行隨身碟解鎖，資料安全更穩固。 2014年4月，海力士宣布他們已經開發出世界上首支並且儲存密度最高的128GB的DDR4 SDRAM記憶體模組，基於使用20奈米製程級別的8Gb DDR4顆粒。 該模組工作於2133MT/s，位寬64位元，資料頻寬為17GB/s。
2007年開始就有DDR4標準的一些早前資訊被公開，2008年8月份於舊金山舉行的英特爾開發者論壇（IDF）上，一位來自奇夢達的出席演講嘉賓提供更多關於DDR4的公開資訊。 當年關於DDR4的描述中，DDR4將使用30奈米製程、1.2伏的運行電壓、常規匯流排時脈速率在2133MT/s而「發燒級」的有3200MT/s、在2012年推出市場、在2013年它的運行電壓將改進至只有1伏。 DDR4-SDRAM提供比DDR3/DDR2-SDRAM更低的供電電壓以及更高的頻寬，但由於電壓標準、物理介面等諸多設計與DDR3-SDRAM等的不一致，因此DDR4-SDRAM與前代DDR3/DDR2/DDR等一樣，不會向下相容。 現時，超微和英特爾兩大x86處理器廠商推出的大部分處理器產品都支援DDR4-SDRAM。 創見DrivePro Body 30穿戴式攝影機採用高感光元件及紅外線照明技術，可錄製高畫質影片。
實際可支援DDR4記憶體的主機板、處理器產品於2014年面世，包括英特爾、超微於2014年下半年發布的處理器。 2014年第二季度已經有帶有ECC校驗功能的產品推出市場，無ECC校驗功能的型號在2014年第三季度推出。 ssdram ssdram 超微在2014年發布的「Hierofalcon」系統晶片（SoC）開始支援DDR4記憶體。 而英特爾早在2014年Haswell-E的路線圖上計劃支援DDR4，2014年底發布的「Haswell-E」核心之處理器是英特爾首款支援DDR4 SDRAM的產品。
但其他一時間沒有要用到的東西，都會放在抽屜（硬碟）裡面。 要使用正確的記憶體，就要使用您電腦唯一相容的記憶體類型！ 要為電腦找到正確的記憶體，最簡單的方法是透過 Crucial® Advisor™ 工具查看系統資訊。 Crucial® Advisor™ 工具僅列出與您系統相容的記憶體。 DDR3、DDR4和DDR5 帶來記憶體技術上更進一步的演進，其同時在頻寬與電力消耗皆獲得改善，讓效能與穩定度得以逐年提升，標準亦不斷上修。 如今世界有三強SDRAM顆粒製造商：南韓的三星電子和海力士，及美國的美光科技。
另外，固態硬碟（Solid State Drive，SSD）也是以 NAND Flash 為基礎所建構的儲存裝置。 由於具備了重量輕、體積小、功率低等優點，被應用在各類電子產品的硬碟上。 Flash 又可以分成 NOR 型 Flash 和 NAND 型 Flash。 SRAM 晶片和 DRAM 晶片不太一樣，不需要分成行地址和列地址分別選擇，而且 SRAM 的設計相對來說又更加靈活，一個地址對應的儲存單元數量可以是 8 bit、10 bit，或 32 bit、40 bit、64 bit 都行。 這是我們平常在電腦中使用的記憶體，更精確的說法應該叫「記憶體模組」（Memory Module）。 一個記憶體模組實際上就是由一塊小電路板、再加上幾塊的 DRAM 晶片構成。
ssdram: 儲存單元從快到慢：暫存器> 快取> 主記憶體> 硬碟
三者壟斷超過90%的全球市場，包括PC RAM、手機RAM和伺服器RAM。 另外，以上三間公司及日本東芝亦壟斷了全球90%的NAND快閃記憶體市場，這種記憶體主要用來製造SD卡和SSD。 儘管SDRAM的概念至少從20世紀70年代就已經被人們所熟悉，在早期的Intel處理器上也已被採用，但要說到它在電子工業被廣泛接受，那是從1993年才開始的。 1993年，三星開始展示其新出品的KM48SL2000 SDRAM，到2000年，SDRAM因為其卓越的性能，實際上取代了其它類型的DRAM在現代計算機中的位置。 SDRAM与DDR的主要差异 内存可分为DRAM动态随机存取内存和SRAM静态随机存取内存两种。
SDRAM支持的操作命令有初始化配置、预充电、行激活、读操作、写操作、自动刷新、自刷新等。 所有的操作命令通过控制线CS#、RAS#、CAS#、WE#和地址线、体选地址BA输入。 理论上，要尽量多地使用已打开的页来保证最短的延迟周期，只有在数据不存在（读取时）或页存满了（写入时）再考虑打开新的指定页，这也就是变向的连续读/写。 而打开新页时就必须要关闭一个打开的页，如果此时打开的页面已是北桥所支持的最大值但还不到理论极限的话，就需要一个替换策略，一般都是用LRU算法来进行，这与VIA的交错控制大同小异。 所谓的影响性能是并不是指SDRAM的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。 但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。
ssdram: 模組封裝
HY57V561620为8192 refresh cycles / 64ms。 VIA的4路交错式内存控制就是在一个L-Bank工作时，对下一个要工作的L-Bank进行预充电。 这样，预充电与数据的传输交错执行，当访问下一个L-Bank时，tRP已过，就可以直接进入行有效状态了。 目前VIA声称可以跨P-Bank进行16路内存交错，并以LRU算法进行预充电管理。 而通常人們所說的SDRAM 是DRAM 的一種，它是同步動態儲存器，利用一個單一的系統時鐘同步所有的地址資料和控制訊號。 使用SDRAM不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的資料傳輸。
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