金氧半場效電晶體電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為n型或是p型的金氧半場效電晶體。 箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為p型的金氧半場效電晶體，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為p型）；反之則代表基極為p型，而通道為n型，此元件為n型的金氧半場效電晶體，簡稱NMOS。 在一般分散式金氧半場效電晶體元件中，通常把基極和源極接在一起，故分散式金氧半場效電晶體通常為三端元件。 而在積體電路中的金氧半場效電晶體通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的閘極端多加一個圓圈以示區別。
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金氧半場效電晶體的面積越小，製造晶片的成本就可以降低，在同樣的封裝裡可以裝下更高密度的晶片。 金氧半場效電晶體的尺寸變小意味著閘極面積減少，如此可以降低等效的閘極電容。 此外，越小的閘極通常會有更薄的閘極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。 不過這樣的改變同時會讓閘極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而金氧半場效電晶體在尺寸縮小後的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。 左圖是一個n-type金氧半場效電晶體（以下簡稱NMOS）的截面圖。 如前所述，金氧半場效電晶體的核心是位於中央的MOS電容，而左右兩側則是它的源極與汲極。
如源: 佛法概論－第九章 我們的世間
如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那么通道就無法形成，載流子也無法在源極與漏極之間流動。 當一個夠大的電位差施於MOSFET的柵極與源極（source）之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時所謂的“反型層”（inversion channel）就會形成。 通道的極性與其漏極（drain）與源極相同，假設漏極和源極是N型，那么通道也會是N型。 通道形成後，MOSFET即可讓電流通過，而依據施於柵極的電壓值不同，可由MOSFET的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。 如源 從名字表面的角度來看MOSFET的命名，事實上會讓人得到錯誤的印象。 因為MOSFET里代表“metal”的第一個字母M在當下大部分同類的元件里是不存在的。
雖然有不同的結構，但其工作原理是相同的，這裡就不一一介紹了。 圖1是典型平面N溝道增強型NMOSFET的剖面圖。 犢子部認為，眾生在輪迴之中，必定有個主體在轉移，這個主體即是補特伽羅，又被稱為非即非離蘊、不可說我。 補特伽羅攜帶著業，從前世轉生至後世，形成各種不同的生命型態。 說三法印只緣於緣起論，那代表，只要因緣合和，每個人都可以成為阿羅漢、初地菩薩，一個人沒有成阿羅漢、初地菩薩，是因為因緣不合和的緣故；一個人是否功成名就，都是因緣合和。 每個平行世界都會有不同的結果，這除了每個平行世界的因緣或有差異，每個人的自由意志在各個平行世界也佔有相當大的影響力量。
可以知道：不是講法者如源法師誤解了龍樹菩薩所言的「中觀」，就是龍樹菩薩也不理解什麼是「一切唯心造」。 如源 這是依第13維度佛的勝義諦立場來說的，從佛的角度看，有為法虛幻不實，所以沒有生：無生。 再強調一次：這是指有為法中，是無生的，還是從勝義諦來看。
閘極氧化層漏電流增加閘極氧化層隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而越來越薄，目前主流的半導體製程中，甚至已經做出厚度僅有1.2奈米的閘極氧化層，大約等於5個原子疊在一起的厚度而已。 在這種尺度下，所有的物理現象都在量子力學所規範的世界內，例如電子的穿隧效應。 因為穿隧效應，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產生漏電流，這也是今日積體電路晶片功耗的來源之一。 ⒉ 當MOSFET的尺寸縮的非常小、柵極氧化層也變得非常薄時，例如編輯此文時最新製程可以把氧化層縮到一納米左右的厚度，一種過去沒有發現的現象也隨之產生，這種現象稱為“多晶矽耗盡”。 當MOSFET的反轉層形成時，有多晶矽耗盡現象的MOSFET柵極多晶矽靠近氧化層處，會出現一個耗盡層（depletion layer），影響MOSFET導通的特性。 可行的材料包括鉭（Tantalum）、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titalium Nitride）。
- 今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用矽與鍺的混合物所發展的矽鍺製程（SiGe process）。
- 當MOSFET的反轉層形成時，有多晶矽耗盡現象的MOSFET柵極多晶矽靠近氧化層處，會出現一個耗盡層（depletion layer），影響MOSFET導通的特性。
- S-表示已在日本電子工業協會JEIA註冊登記的半導體分立器件。
- 龍樹菩薩他的思想根本有兩個，一個就是說菩薩的廣大行，教導我們如何去行大菩薩道，大慈悲心如何修行。
- 執著五蘊是我，為我執的一種，稱為薩迦耶我執。
- 假設操作的對象換成PMOS，那么源極與漏極為P型、基體則是N型。
- 五取蘊是苦，有身、有身集、有身滅、有身滅道跡，即是四聖諦的苦集滅道。
進而於2001年進入卡爾加利大學就讀，以期能有一完整的學術訓練歷程。 現為加拿大中道禪林和中道佛學會方丈和導師、台灣中道佛學會負責人。 曾親近過當代臺灣高僧上印下順導師，精通導師思想，並曾擔任卡爾加利大學約聘講師。 Mos管開關電路 MOS管開關電路是利用一種電路,是利用MOS管柵極控制MOS管源極和漏極通斷的原理構造的電路。 MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關電路也主要分為兩種。 MOSFET驅動器 MOSFET驅動器是一款高頻高電壓柵極驅動器,可利用一個同步 DC/DC 轉換器和高達 100V 的電源電壓來驅動兩個 N 溝道 MOSFET。
如源: 使用建議:
通道的極性與其汲極（drain）與源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型。 通道形成後，金氧半場效電晶體即可讓電流通過，而依據施於閘極的電壓值不同，可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。 今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用矽與鍺的混合物所發展的矽鍺製程（SiGe process）。 而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。 現代的半導體製程工序複雜而繁多，任何一道製程都有可能造成積體電路晶片上的元件產生些微變異。 當MOSFET等元件越做越小，這些變異所占的比例就可能大幅提升，進而影響電路設計者所預期的效能，這樣的變異讓電路設計者的工作變得更為困難。
- 當一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分布也會跟著改變。
- 此外，越小的柵極通常會有更薄的柵極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。
- 要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流ID。
- 再加上金氧半場效電晶體因為結構的關係，沒有BJT的一些致命缺點，如熱跑脫（thermal runaway）。
金屬的熔點低，將會影響製程所能使用的溫度上限。 矽—二氧化矽接面經過多年的研究，已經證實這兩種材料之間的缺陷（defect）是相對而言比較少的。 金氧半場效電晶體的尺寸縮小後出現的困難把金氧半場效電晶體的尺寸縮小到一微米以下對於半導體製程而言是個挑戰，不過現在的新挑戰多半來自尺寸越來越小的金氧半場效電晶體元件所帶來過去不曾出現的物理效應。
上圖中的金氧半場效電晶體符號中，基極端和源極端均接在一起，一般單一零件的MOSFET幾乎均如此，但在積體電路中的金氧半場效電晶體則並不一定是這樣連接。 基極與源極沒有直接相連的金氧半場效電晶體會出現基板效應（body effect）而部份改變其操作特性，將在後面的章節中詳述。 金氧半場效電晶體的臨界電壓（threshold voltage）主要由閘極與通道材料的功函式之間的差異來決定，而因為多晶矽本質上是半導體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質來改變其功函式。 更重要的是，因為多晶矽和底下作為通道的矽之間能隙相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時可以藉由直接調整多晶矽的功函式來達成需求。 反過來說，金屬材料的功函式並不像半導體那麼易於改變，如此一來要降低金氧半場效電晶體的臨界電壓就變得比較困難。 而且如果想要同時降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其閘極材料，對於製程又是一個很大的變數。
如源: 尺寸縮放
在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極電晶體。 第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。 A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控矽、G-N控制極可控矽、H-N基極單結電晶體、J-P溝道場效應管、K-N溝道場效應管、M-雙向可控矽。 加拿大中道佛學會是加拿大政府認證成立的慈善機構。 在中華佛教最負盛名佛学院之一台灣福嚴佛學院院長上真下華老和尚慈悲指導下，由上如下源、上如下立兩位法師於2008年創立。
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如源: 佛學入門雜阿含經第90講
以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。 因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。 早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。 然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的注意。 ，神教者上帝但創造這個世界，但創造這世界的生物以及人類也好，都是荒謬而難以相信的，都是從我慢中流露出來的！ 有無量無數的世界，卻僅有一個世界有生物以及人類，而這個又恰是我們這個世界：你能相信嗎？
MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。 如源 箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則代表基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡稱NMOS。 在一般分散式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分散式MOSFET通常為三端元件。 而在積體電路中的MOSFET通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區別（這是國外符號，國標符號見圖）。
對NMOS開關而言，電壓最負的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓最正的一端是源極。 金氧半場效電晶體開關能傳輸的訊號會受到其閘極—源極、閘極—汲極，以及汲極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導致金氧半場效電晶體燒毀。 多晶矽的熔點比大多數的金屬高，而在現代的半導體製程中習慣在高溫下沉積閘極材料以增進元件效能。
如源: 電路符號
阿彌陀佛,請示如源法師講授俱舍論課程,使用悟慈法師翻譯日本人深甫正聞著俱舍學書本及講義,在台灣如何取得.可否告知,感恩. 如源 阿毗達摩在佛教中是屬於論藏，討論的內容就是究竟法。 如源 有五蘊，十二處，十八界等要點；安法法師透過有系統的講述，讓所有學員可以一探佛法的深奧之處。 淨土五經是瞭解淨土法門的重要經典，如正法師把淨土的概念介紹給學員，以更深入的角度及不同的思維度來介紹此殊勝的法門。 唯識學課程是如源法師在台南禪源明墅，為台灣的學員講解唯識學的基本觀念。 瞭解唯識學的內容，有助於明瞭我們認知的過程，進而建立正知正見，以達成轉識成智之目的。
反之對PMOS而言，基體應該是N型，而源極與漏極則為P型（而且是重（讀作zhong）摻雜的P+）。 基體的摻雜濃度不需要如源極或漏極那么高，故在右圖中沒有“+”。 當一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分布也會跟著改變。 考慮一個P型的半導體（空穴濃度為NA）形成的MOS電容，當一個正的電壓VGB施加在柵極與基極端（如圖）時，空穴的濃度會減少，電子的濃度會增加。 當VGB夠強時，接近柵極端的電子濃度會超過空穴。
在射頻電路的應用上，雙閘極金氧半場效電晶體的第二個閘極大多數用來做增益、混頻器或是頻率轉換的控制。 近年來由於金氧半場效電晶體元件的效能逐漸提升，除了傳統上應用於諸如微處理器、微控制器等數位訊號處理的場合上，也有越來越多類比訊號處理的積體電路可以用金氧半場效電晶體來實現，以下分別介紹這些應用。 MOS電容的特性決定了金氧半場效電晶體的操作特性，但是一個完整的金氧半場效電晶體結構還需要一個提供多數載子（majority carrier）的源極以及接受這些多數載子的汲極。 有了有情，必有與有情相對的世間，如說：「我與世間」。 有情與世間的含義，可以作廣狹不同的解說：一、世是遷流轉變的意思，凡有時間的存在者，即落於世間。 二、假名有情為我，我所依住的稱為世間：所依的身心，名五蘊世間；所住的世間，名器世間。
如源: 說明
這和「中觀」沒有絕對的關係，意思是：不必了解「中觀」也已經有這樣的理論了。 證到「青青翠竹，盡是法身；鬱鬱黃花，無非般若。」的人，觀到花草樹木的真空妙有而見到如來。 這在說：花草樹木雖有相，但其性為空，因為都是法身佛變現的，當你能夠見到法身、般若，你就見到佛了，這就是金剛經「若以色見我，以音聲求我，是人行邪道，不能見如來。」的意思，而不是要看到佛的肉身，肉身是相，是無常的。
這些金屬柵極通常和高介電常數物質形成的氧化層一起構成MOS電容。 柵極氧化層隨著MOSFET尺寸變小而越來越薄，主流的半導體製程中，甚至已經做出厚度僅有1.2納米的柵極氧化層，大約等於5個原子疊在一起的厚度而已。 在這種尺度下，所有的物理現象都在量子力學所規範的世界內，例如電子的穿隧效應（tunneling effect）。 為了解決這個問題，有一些介電係數比二氧化矽更高的物質被用在閘極氧化層中。
反之，金屬—絕緣體接面的缺陷多，容易在兩者之間形成很多表面能階，大為影響元件的特性。 圖1是常見的N溝道增強型MOSFET的基本結構圖。 為了改善某些參數的特性，如提高工作電流、提高工作電壓、降低導通電阻、提高開關特性等有不同的結構及工藝，構成所謂VMOS、DMOS、TMOS等結構。
如源: 佛學入門雜阿含經第92講
這樣，MOSFET就有了4鐘類型：P溝道增強型，P溝道耗盡型，N溝道增強型，N溝道耗盡型，它們的電路符號和套用特性曲線如下圖所示。 要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流ID。 注意刷取预期理智非材料实际价值，只是掉落期望的理智，材料实际价值可以粗浅看成每次活动关卡只掉1材料无副产物时需要的理智，比如活动最后的蓝材料关卡，当然实际价值会比这个高。
閘極電壓繼續升高，則NMOS能通過的電流就更大。 NMOS做開關時操作在線性區，因為源極與汲極的電壓在開關為導通時會趨向一致。 同樣驅動能力的NMOS通常比PMOS所佔用的面積小，因此如果只在邏輯閘的設計上使用NMOS的話也能縮小晶片面積。 不過NMOS邏輯雖然佔的面積小，卻無法像CMOS邏輯一樣做到不消耗靜態功率，因此在1980年代中期後已經漸漸登出市場，目前以CMOS為主流。 在閘極、源極與汲極都鍍上金屬矽化物的製程稱為自我對準金屬矽化物製程（Self-Aligned Silicide），通常簡稱salicide製程。
四、世界的淨穢是業感的：這無數的世界，形態不一，穢惡與莊嚴也大有差別。 我們所處的地球，被稱為五濁惡世，屬於穢土。 莊嚴清淨的世界，不但是無數世界中的現實存在，而這個世界又可能成為莊嚴的。 世界的進展到清淨，或退墮到穢惡，為有情的共業所造成；是過去的業力所感，也是現生的業行所成。
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