除了快閃記憶體盤，快閃記憶體還被套用在電腦中的BIOS、PDA、數碼相機、錄音筆、手機、數位電視、遊戲機等電子產品中。 定址時，NAND型快閃記憶體通過8條I/O接口資料線傳輸地址信息包，每包傳送8位地址信息。 由于快閃記憶體晶片容量比較大，一組8位地址隻夠定址256個頁，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若幹組，佔用若幹個時鍾周期。
- 英飛凌宣布，其位於德勒斯登的200毫米DRAM工廠已經開始生產512Mb NAND兼容快閃記憶體晶片。
- 在SSD中放置FLASH快閃記憶體意味著所有的存儲I/O都是通過SCSI堆疊處理的。
- 旺宏的主要產品即為 NOR Flash，而公司提供的營收佔比當中，分別將 NOR Flash 以及 ROM（Read only Memory）分開，因為 ROM 產品主要為客製型的產品，產品組合較不單一，合計佔比超過旺宏公司營收的 80%。
- 這是總結了業界的一般假設及廣泛的觀點, 既是事實, 但也只是部分的事實。
NAND結構能提供極高的單元密度，可以達到高存儲密度,並且寫入和擦除的速度也很快。 套用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統接口。 通用快閃記憶體接口 它可以使系統軟體查詢已安裝的Flash Memory器件的各種參數,包括器件陣列結構參數、電氣和時間參數以及器件支持的功能等。
flash 記憶體: 記憶體模組廠商：
所使用的快閃記憶體讀取方式隨著時間的推移會導致在同一區塊中相近的記憶單元內容改變（變成寫入動作）。 會導致讀取干擾現象的讀取次數門檻介於區塊被抹除間，通常為100,000次。 假如連續從一個記憶單元讀取，此記憶單元將不會受損，而受損卻是接下來被讀取的周圍記憶單元。
雖然目前群聯電子的獲利也不好，但他相信，經過嚴格考驗後，大家紛紛決定減產，調降資本支出，漸漸地市場會把弱者淘汰出去。 明年下半年，Flash應用會成長，價錢也會好轉，雖然可能不會太過鳥語花香，但至少會有春天的感覺。 他強調，群聯電子會持續投資新技術，未來5-10年希望成為真正的第一名。 flash 記憶體 潘健成強調，一開始Flash使用SLC，好處是速度快、可靠度佳，可是價錢很貴。 如今2GB的MLC每顆是1-2美元，SLC卻需要9-10美元，價格差五倍，因此慢慢壓抑了SLC的成長，幾乎所有人都採用MLC製程。
flash 記憶體: 技術文章
不過，在USB Flash控制IC的市場占有率方面，群聯電子依然是排名世界第一。 對此，潘健成表示，希望未來五年，在其他領域，群聯也都能做到第一名。 群聯電子在2001年5月，推出全球第一顆USB Flash 控制晶片之後，造成2003年Flash首度大缺貨，時間長達8-10個月之久。 從1967年施敏發表NVSM以來，無疑地已對人類生活造成深遠的影響，相關的衍生應用也快速將人們的生活帶進數位時代。 過去四年，全世界已經生產超過220億個NVSM產品；預估到了2011年時，全球的NVSM產品將更增加到740億個，平均每個人身上都會用上10個左右的NVSM產品。 而「非揮發性記憶體NVSM」一旦遇上停電，並不會致使資料因此揮發掉，衍生漏失資料的遺憾，快閃記憶體Flash即屬於此類。
快閃記憶體晶片實際的容量會大於出廠可用容量，或者說，可用容量會小於晶片容量，這是為了存放寫入的快閃記憶體壽命磨損均衡表（FTL）（記憶損耗平衡）、出廠預留空間、分割區表、錯誤修正碼、及裝置內部韌體程式運算所需要的其他中繼資料。 創見近來導入業界最新3D NAND技術，可將每儲存單元3位元的3D快閃記憶體，垂直堆疊高達96層。 此一密度突破相較於前一代64層堆疊而言，不僅大幅提升儲存效益，同時在耐用度方面也保持高水準。 創見出廠產品皆經過耐用度測試，其採用96層3D快閃記憶體之固態硬碟與記憶卡鈞可達到3K次抹寫的耐用度，與MLC同級。
flash 記憶體: H-Flash 8GB DDR4 2133 筆電型 記憶體
相較之下，目前的SRAM存取的時間通常小於10ns，而DDR2 SDRAM存取時間一般則小於20ns。 因為這個因素，一般合理的使用方式是將要存放於映射記憶體裡的程式碼預先存放於快閃記憶體中，並在CPU執行程式碼前將快閃記憶體中的程式碼複製到映射記憶體中，如此一來，CPU就可以用最高速度來取用程式碼。 設備上的韌體也可以預先存放於序列式介面快閃記憶體中，在設備開機後，將其複製到SDRAM或SRAM裡。 使用外部序列式快閃記憶體而不用晶片中內嵌快閃記憶體是因為晶片製程上的考慮而妥協的結果（適用於高速邏輯製程通常不適用於快閃記憶體，反之亦然）。 如果有需要將一個大區塊的韌體程式碼讀入時，通常會事先將程式碼壓縮後再存入快閃記憶體中，就可以縮小快閃記憶體晶片上被使用的區域。 典型的序列式介面快閃記憶體應用於韌體儲存上有：硬碟、乙太網路控制器、DSL數據機、無線網卡等等。
对于UEFI而言，因为在UEFI启动过程的DXE阶段前UEFI对主記憶體的访问有限，所以UEFI固件通常保存在NOR flash 記憶體 Flash中。 裝置上的韌體也可以預先存放於序列式介面快閃記憶體中，在裝置啟動後，將其複製到SDRAM或SRAM裡。 對於UEFI而言，因為在UEFI啟動過程的DXE階段前UEFI對主記憶體的存取有限，所以UEFI韌體通常儲存在NOR Flash中。 當晶片磨損，抹除與程式的操作速度會降到相當慢，主控需要需要更大電壓進行操作和更長的時間保證資料完整和建立ECC資料。
flash 記憶體: 讀取干擾
施敏表示，自NVSM發明以來，催生了許多電子產品的新興應用。 主要的應用類別可以粗分為五大類，分別是：手機、可攜式應用、電腦周邊、交通及工業應用。 DRAM 市場供給方面，全球通膨效應與供應鏈進入庫存調節期，讓PC與消費性需求持續疲弱，短期內記憶體價格仍面臨向下壓力。 然隨著上游原廠放緩投資腳步，DRAM 產業可望優於 NAND Flash，進一步縮短價格低檔週期。 Flash 應用領域較 DRAM 為廣泛，PC、消費電子產品、手機等等都是 Flash 的終端應用產品。 且不同的應用就需要不同規格的 Flash，因此 Flash 規格也較多元，容量較為多變。
手機是使用NOR Flash第一多的產品，約佔NOR Flash的3成；以手機銷售量來看(表四)，根據IT IS預估03年及未來幾年成長幅度都在10幾%，預估03年銷售4.4億支較02年增11%，04年預估5億支增加14%。 而每支手機的NOR Flash使用量02年約55Mb，03年預估成長55%到85Mb，04年成長幅度加大到71%約145Mb；因此雖然手機成長幅度不大，但手機應用NOR Flash的總容量在03年377億Mb成長72%，04年可再成長93%到726億Mb。 以應用市場產品比重來看，市調機構Semico Research Corp 2003年資料顯示NAND Flash絕大部分應用在數位相機，比重高達8成(表三)、另外USB快閃記憶碟(大姆哥)也佔約10%、MP3 Player約佔5%。
flash 記憶體: 快閃記憶體
若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。 RAM 是 Random Access Memory 的縮寫，意思是 CPU 能夠不用按照位址的順序，而能隨機指定記憶體位址來讀取或寫入資料。 我們在講的，記憶體有很多個位址（Address），還有 CPU 會讀取、寫入記憶體，其實都是「主記憶體」的部分。
快閃記憶體檔案系統的背景觀念如下：當快閃記憶體的儲存內容被更新時，主控將欲改變的資料寫入一個新的區塊，创建地址对应，然後找時間抹除舊有的标记删除的區塊（现在支持TRIM指令的SSD可以使用TRIM指令整理已经标记删除的块）。 快閃記憶體在分類上屬於“EEPROM”的一種，但一般業界所講的EEPROM指的是那種“非快閃式”的普通EEPROM，並不是指它。 快閃記憶體以“大區塊抹除”的方式改寫其體內的資料，因為這種大區塊的特性導致它的“写入速度”往往慢于“读取速度”，但也導致它的成本遠遠低於“以位元組為單位寫入”的普通EEPROM。 由於普通EEPROM需要一個一個位元的刪除已有資料，這讓其傳輸速度極其緩慢，相較之下快閃記體直接使用“大區塊抹除”則會快得多，在會多次用到高清畫面、高品質音樂的情況下尤為明顯。 與 DRAM 不同，它們的儲存格會隨著時間推移而磨損，因為寫入週期比讀取週期更為繁瑣。 flash 記憶體 NAND 儲存裝置的寫入週期數量是有限的，但始終保留在裝置上的快閃控制器所執行的磨損，可透過平均抹寫進行管理。
flash 記憶體: PC 市場的 DRAM 產業結構
現貨市場過去全盛時期時，曾佔全球 DRAM 市場高達三成左右（剩下 70% 為合約市場）。 flash 記憶體 但由於先前 DRAM 產業嚴重供過於求，廠商連年陷入虧損之下，現在的現貨市場佔總市場比重，僅剩下一成不到。 對於 PC 廠商來說，它們並不會將完全依賴合約市場，也會把現貨市場當作調節價格的避險工具——若看跌未來記憶體市場，但現在以較高的合約價購入，便可以在現貨市場上拋售以降低庫存；若預期未來價格將上揚，則可現在先於現貨市場上買入。
NAND Flash的壽命不等於SSD的壽命，SSD盤可以透過多種技術手段從整體上提升SSD的壽命，透過不同的技術手段，SSD盤的壽命可以比NAND Flash壽命提升20%~2000%不等。 其缺點是，對於較小的節點，NAND快閃記憶體中的錯誤更為頻繁；另外，可以使用的最小製程工藝節點存在限制，儲存密度不高。 當LED燈亮的時候，它表示快閃記憶體盤連線成功暫時沒有資料傳輸。 當LED閃爍的時候，它表示快閃記憶體盤正在資料傳輸過程中。
NOR和NAND型快閃記憶體由記憶單元間的內部連接結構而得名。 NOR型快閃記憶體內部記憶單元以平行方式連接到位元線，允許個別讀取與程式化記憶單元。 這種記憶單元的平行連接類似於CMOS NOR閘中的電晶體平行連接。
- 誠如2000年的諾貝爾物理獎得主Herbert Kroemer所說：任何石破天驚的創新技術，都能夠締造許多前所未有的新應用。
- Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等…
- 快閃記憶體又分為NOR與NAND兩型，闪存最常见的封装方式是TSOP48和BGA，在逻辑接口上的标准则由于厂商阵营而区分为两种：ONFI （页面存档备份，存于互联网档案馆）和Toggle。
- NAND快閃記憶體的寫周期比NOR快閃記憶體短90%，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。
- 力成通過每股配發現金股利新台幣6.80元，於7月29日除息。
- 另外，寫入與讀取頻寬相較於上一代 176 層堆疊產品，其寫入頻寬增加 100%，讀取頻寬則增加 75% 以上。
快閃記憶體（英語：flash memory），是一種電子式可清除程式化唯讀存儲器的形式，允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。 這種科技主要用於一般性數據存儲，以及在計算機與其他數字產品間交換傳輸數據，如儲存卡與隨身碟。 早期的快閃記憶體進行一次抹除，就會清除掉整顆晶片上的數據。 隨著NAND製程越來越小，縮短製程提高儲存密度已經非常困難。
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